Современная литография

Островский Борис Исаакович

ФНИЦ «Кристаллография и Фотоника» РАН

Дан анализ путей достижения предельно малых топологических размеров при создании процессоров. Рассмотрены методы оптической, электронной, рентгеновской и печатной литографии. Показано, что сочетание электронной литографии и нано-печати позволяет уменьшить топологический масштаб интегральных схем до » 10 нм. Эти размеры близки к ограничениям, определяемыми квантовыми размерными эффектами, и позволяют в принципе в несколько раз увеличить производительность процессоров. С экономической точки зрения целесообразность погони “за последним нанометром” определяется рентабельностью производства планарных полупроводниковых схем. Весьма вероятно, что микросхемы с топологическими размерами менее 20 нм еще долго останутся в стенах лабораторий.